Suministro de sistema de grabado mediante haz iónico (Ion beam Etching - IBE)

El equipo se destinará a la Infraestructura Científica y Técnica Singular (ICTS) MICRONANOFABS, red española de salas blancas de micro y nanofabricación integrada en el Mapa Nacional de ICTS del Ministerio competente en materia de ciencia, de la que forma parte la Infraestructura de Micro y Nano Fabricación del Centro de Tecnología Nanofotónica (NTC) de la Universitat Politècnica de València (UPV), junto con el Centro Nacional de Microelectrónica (CSIC) y la Central de Tecnología del ISOM (UPM). La instalación se ubicará en la Sala Blanca del edificio 8F del NTC-UPV. El Centro de Tecnología Nanofotónica desarrolla procesos de fabricación de dispositivos fotónicos integrados, biosensores, componentes de óptica integrada, dispositivos cuánticos, sistemas microelectromecánicos (MEMS), estructuras microfluídicas y sistemas nanofotónicos sobre una amplia variedad de materiales, incluyendo silicio, nitruro de silicio, vidrio, cuarzo, materiales III-V, materiales dieléctricos y estructuras híbridas. Como ICTS integrada en la red MICRONANOFABS, el NTC-UPV presta servicios de micro y nanofabricación a grupos de investigación nacionales e internacionales, así como a empresas, en el marco de proyectos competitivos, contratos de transferencia tecnológica y prestación de servicios avanzados. Esta condición de infraestructura singular de uso compartido obliga a mantener una dotación instrumental actualizada, robusta y de prestaciones acordes al estado del arte, que permita dar respuesta tanto a las líneas de investigación propias como a la demanda externa de la comunidad científica e industrial, en línea con los objetivos del PERTE Chip para el fortalecimiento de las capacidades nacionales de microelectrónica y fotónica. Muchos de los dispositivos que se fabrican en la infraestructura requieren procesos de grabado físico de elevada precisión sobre materiales para los que los procesos convencionales de grabado químico (húmedo) no proporcionan la calidad superficial, anisotropía o selectividad necesarias. Asimismo, la creciente complejidad de los dispositivos desarrollados exige disponer de procesos altamente reproducibles, con control preciso del ángulo de incidencia del haz, elevada estabilidad del proceso, automatización y monitorización continua.